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影视：成全视频高清免费观看电视剧下载，讲述了 "从当前的理论来看，1nm芯片已是硅基芯片的理论极限了，因为到了这个制程工艺，量子隧穿的效应将无法避免，简单来说，就是电子会从一个晶体管无法控制地跑向另一个晶体管，使得晶体管的“0”和“1”状态混乱起来，导致该晶体管失效，芯片也就自然无法正常工作。其实在7nm制程时，量子隧穿效应已有一定机率出现了，只是通过特殊的新结构来解决罢了，但这样的结果就功耗加大，芯片发热量增加。而且这样的新结构到了1nm时，因为量子隧穿效应的发生率太高而失效，能耗与发热量都超过了可以接受的范围。当然，理论是不断地进化的，据说IBM与三星在不久前就声称研究出了所谓的“VTFET技术”，即“垂直传输场应晶体管技术”，以垂直方式堆叠晶体管，让芯片的电流以垂直的方式进行流通，以此减少量子隧穿效应，进而将硅基芯片的制艺推进到1nm以内。然而这更像是拿着不完善的实验室数据来吹嘘，提前吸引市场关注、提振股价，距离实验室出成果还有遥远的距离。正因为目前最成熟的硅基芯片都无法解决1nm芯片的量子隧穿效应，秦克对这份S级知识充满了兴奋，他很想看看系统的知识里，是如何解决这个量子层面的难题。....

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